Современная электроника №2/2025

СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ 17 WWW.CTA.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 2 / 2025 iopscience.iop.org/article/10.1143/ JJAP.36.4216. 24. Alferov Zh.I., Ledentsov N.N. et al. Structural and optical properties of InAs–GaAs quantum dots subjected to high temperature annealing. Applied Physics Letters, volume 69, issue 20, pages 3072– 3074. 1996. URL: https://colab.ws/ articles/10.1063%2F1.116843. 25. Алфёров Ж.И., Бимберг Д. и др. Напряжённые субмонослойные гетероструктуры и гетерострукту- ры с квантовыми точками. УФН, 165, 224 (1995). URL: https://ufn.ru/ ru/articles/1995/2/h/. 26. Ledentsov N.N., Cirlin G. et al. Ordering phenomena in InAs strained layer morphological transformation on GaAs (100) surface Appl. Phys. Lett. 67, 97 (1995). URL: https://doi.org/10.1063/1.115520. 27. Henini M. Properties and applications of quantum dot heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Nanoscale Res. Lett. 2006, 1, 32–45. URL: https://pmc.ncbi.nlm.nih.gov/ articles/PMC3246631/. 28. Ledentsov N.N., Shchukin V.A. et al. Spontaneous Ordering of Arrays of Coherent Strained. Phys. Rev. Lett. 75, 2968 (1995). URL: https://doi. org/10.1103/PhysRevLett.75.2968. 29. Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Grundmann M. et al. Strain-induced formation and tuning of ordered nanostructures on crystal surfaces. Surf. Sci. 352–354, 117 (1996). URL: https://doi.org/10.1016/0039- 6028(95)01112-9. 30. Alferov Zh.I., Slepyan G.Ya., Maksimenko S.A. et al. Polarization splitting of the gain band in quantum wire and quantum dot arrays. Phys. Rev. B, vol. 59, pp. 12275–12278, 1999. URL: https://journals.aps.org/prb/ abstract/10.1103/PhysRevB.59.12275. 31. Alferov Zh.I., Kirstaedter N., Ledentsov N.N. et al. Low threshold, large to injection laser emission from (InGa)As quantum dots. Electronics Letters, Volume 30, Issue 17. URL: https://doi.org/10.1049/el :19940939. 32. Alferov Zh.I., Bimberg D., Kirstaedter N., Ledentsov N.N. et al. InGaAs-GaAs quantum-dot lasers. IEEE Journal of Selected Topics in Quant. Electron., Volume: 3 Issue: 2. 1997. URL: https://ieeexplore.ieee.org/ document/605656. 33. Alferov Zh.I., Kirstaedter N., Schmidt O.G. et al. Gain and differential gain of single layer InAs/GaAs quantum dot injection lasers. Appl. Phys. Lett. 69, 1226– 1228 (1996). URL: https://doi. org/10.1063/1.117419. 34. Alferov Zh.I., Ustinov V.M. et al. Low- threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots. Journal of Crystal Growth. Volumes 175–176, Part 2, Pages 689–695, 1997. URL: https://www.sciencedirect. com/science/article/abs/pii/ S0022024896010214. 35. Alferov Zh.I., Lott J.A., Ledentsov N.N. et al. Vertical cavity lasers based on vertically coupled quantum dot. Electronics Letters, 19th June 1997 Vol. 33 No. 73. URL: https://bit. ly/4goFF2y. 36. Refining the quantum dot laser. Compound Semiconductor. URL: https://compoundsemiconductor. net/article/114186/Refining_the_ quantum_dot_laser. 37. Alferov Zh.I. Nobel Lecture: The double heterostructure concept and its applications in physics, electronics, and technology. Rev. Mod. Phys. 73 767 (2001) URL: https:// journals.aps.org/rmp/pdf/10.1103/ RevModPhys.73.767. 38. Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Shchukin V.A. et al. Direct formation of vertically coupled quantum dots in Stranski-Krastanow growth. Phys. Rev. B, 1996, 54, (12), pp. 8743–8750. URL: https://journals.aps.org/prb/ abstract/10.1103/PhysRevB.54.8743. 39. Алфёров Ж.И., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н. и др. Фотолюминес- ценция массивов вертикально свя- занных напряжённых квантовых точек InAs в матрице GaAs (100) // Физика и техника полупроводни- ков. 1996. Вып. 10. С. 18–22. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/18550. 40. Алфёров Ж.И., Винокуров Д.А., Капи- тонов В.А. и др. Самоорганизую- щиеся наноразмерные кластеры InP в матрице InGaP/GaAs и InAs в матрице InGaAs/InP // Физика и тех- ника полупроводников. 1999. Т. 33, вып. 7. URL: https://j.ioffe.ru/articles/ viewPDF/35807. 41. Алфёров Ж.И., Цацульников А.Ф., Бер Б.Я. и др. Исследование сло- ёв GaN, легированных атомами As, полученных методом газофаз- ной эпитаксии из металлорганиче- ских соединений. Год 1999, вып. 7. С. 791. URL: http://journals.ioffe.ru/ articles/35795. 42. Алфёров Ж.И., Лундин В.В., Заварин Е.Е. и др. Гетероструктуры AlGaN/ GaN с высокой подвижностью элек- тронов, выращенные методом газо- фазной эпитаксии из металлорга- нических соединений // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, вып. 11. URL: https://journals.ioffe . ru/articles/viewPDF/5664. 43. Alferov Zh.I., Lott J.A., Ledentsov N.N. et al. Vertical cavity lasers based on vertically coupled quantum dots. IET Electronics Letters, Volume 33, Issue 13, 1997. URL: https://www.academia . edu/101399945/Vertical_cavity_ lasers_based_on_vertically_coupled_ quantum_dots. 44. Yixin Cao. Development of Vertical Cavity Surface Emitting Laser Modulation for Data Communication. Journal of Physics: Conference Series, 1653 012001, 2020. URL: https://iopscience.iop.org/artic le/10.1088/1742-6596/1653/1/012001. 45. Леденцов Н.Н., Надточий А.М., Бло- хин С.А. и др. Способ уменьшения паразитной ёмкости ВИЛ с селек- тивно окисленной апертурой // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38, вып 3. 46. Алфёров Ж.И., Малеев Н.А. и др. Структуры InGaAs/GaAs с кванто- выми точками в вертикальных оптических резонаторах для диа- пазона длин волн вблизи 1,3 мкм // Физика и техника полупроводни- ков. 1999. Т. 33, вып. 5. URL: https://j. ioffe.ru/articles/35758. 47. Alferov Zh.I., Lott J.A., Ledentsov N.N. et al. InAs-InGaAs quantum dot VCSELs on GaAs substrates emitting at 1.3 micro meter. Electronics Letters, 2000, Vol. 36 No. 16. URL: https://www. researchgate.net/publication/3382639_ InAs-InGaAs_quantum_dot_VCSELs_ on_GaAs_substrates_emitting_at_13_ micro_signm. 48. Alferov Zh.I., Ledentsov N., Grundmann M. et al. Quantum-Dot Heterostructure Lasers. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 6(3): 439–451, 2000. URL: https://www.researchgate. net/publication/3409132_Quantum- dot_heterostructure_lasers. 49. 850 nm Single Mode VCSEL Laser diode. LD-PD-INC. URL: https:// lenlasers.ru/upload/iblock/667/5hkd xy6r07lbc4rv81juefy1s6x1arpu/850 nm_Single_Mode_VCSEL.pdf. 50. Exactitude Consultancy. URL: https:// www.exactitudeconsultancy.com/ ru/reports/32978/fiber-optic-lasers- market/.