Современная электроника №2/2025

СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ 16 WWW.CTA.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 2 / 2025 совое производство миниатюрных и сравнительно недорогих VCSEL- лазеров. Модель PL-0850-1-A81 (TO-46), пока- занная на рис. 10, представляет собой вертикально излучающий лазер на основе GaAsP/AlGaAs, выращенный с помощью технологии MOVPE [49]. Лазер предназначен для одномо- дового излучения на длине волны 850 нм. Он имеет термоэлектриче- ский охладитель, термистор и защи- ту от электростатики. Лазер разме- щён в стандартном корпусе (T-O5) с габаритными размерами D = 4,7 мм, h = 3,75 мм. Благодаря внедрению VCSEL в систе- мы сетей передачи данных Gigabit и 10 Gigabit Ethernet в последние годы значительно увеличился спрос на высокоскоростные модули на основе поверхностно излучающих лазеров с вертикальным резонатором. Ожидается, что мировой рынок волоконно-оптических лазеров вырастет с 4,22 млрд долларов США в 2023 году до 8,41 млрд долларов США к 2030 году [50]. Литература 1. Ekimov A.I. et al. Quantum size effect in semiconductor microcrystals. Solid State Communications, Volume 56, Issue 11, Pages 921– 924, 1985. URL: https://www. sciencedirect.com/science/article/pii/ S0038109885800259?via%3Dihub. 2. Brus L.E. Chemical Quantum Dots in Bell Laboratories, Accounts of Chemical Research, 2024. URL: http:// www.columbia.edu/cu/chemistry/ fac-bios/brus/group/pdf-files/brus- 2024-chemical-quantum-dots-in-bell- laboratories.pdf. 3. Brus L.E. A simple model for the ionization potential, electron affinity, and aqueous redox potentials of small semiconductor crystallites. The Journal of Chemical Physics, Volume 79, Issue 11, 5566–5571, 1983. URL: https://doi.org/10.1063/1.445676. 4. Brus L.E. et al. Size effects in the excited electronic states of small colloidal CdS crystallites. The Journal of Chemical Physics, Volume 80, Issue 9, 1984. URL: https://doi. org/10.1063/1.447228. 5. Brus L.E. Electron–electron and electron-hole interactions in small semiconductor crystallites: The size dependence of the lowest excited electronic state. J. Chem. Phys. 80, 4403, 1984. URL: http://dx.doi . org/10.1063/1.447218. 6. Bawendi M.G. (CdSe)ZnS Core− Shell Quantum Dots:  Synthesis and Characterization of a Size Series of Highly Luminescent Nanocrystallites. The Journal of Physical Chemistry, B, Vol 101/Issue 46, 1997. URL: https:// pubs.acs.org/doi/10.1021/jp971091y. 7. Алексеев В. Открытие квантовых точек и разработка технологии их массового производства // СОЭЛ. 2024. № 2. URL: https://www.cta.ru/ articles/soel/2024/2024-2/178209/. 8. Jing Liu, Peilin Liu, Dengyang Chen, et al. A near-infrared colloidal quantum dot imager with monolithically integrated readout circuitry. Nature Electronics volume 5, pages 443–451 (2022). URL: https:// www.nature.com/articles/s41928-022- 00779-x. 9. Yun-Ran Wang, Im Sik Han and Mark Hopkinson. Fabrication of quantum dot and ring arrays by direct laser interference patterning for nanophotonics. Nanophotonics 2023; 12(8): 1469–1479. URL: https://doi. org/10.1515/nanoph-2022-0584. 10. Nötzel R. et al. Self-Organized Quantum Dots. Semiconductor Science and Technology, Europhysics News, 1996. URL: https://www.researchgate.net/ publication/256349094_Self- organized_growth_of_quantum-dot_ structures. 11. Stranski N. & Krastanow L. Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander. Monatshefte für Chemie und verwandte Teile anderer Wissenschaftenю. Volume 71, pages 351–364, (1937). URL: https:// link.springer.com/article/10.1007/ BF01798103. 12. Алфёровский Университет. Лабо- ратория молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). URL: https://bit. ly/3OYmKQ2. 13. Goldstein L. et al. Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices. Appl. Phys. Lett. 47, 1099–1101 (1985). URL: https://doi.org/10.1063/1.96342. 14. Leonard D. et al. Direct formation of quantum-sized dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces. Appl. Phys. Lett. 63, 3203–3205 (1993). URL: https://doi. org/10.1063/1.110199. 15. Leonard D. et al. Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs. Phys. Rev. B 50, 11687. 1994. URL: https://doi. org/10.1103/PhysRevB.50.11687. 16. Justin C. Norman, Richard P. Mirin, John E. Bowers. Quantum dot lasers—History and future prospects. J. Vac. Sci. Technol. A 39, 020802 (2021). URL: https://doi. org/10.1116/6.0000768. 17. Алфёров Ж.И., Гарбузов Д.З., Дени- сов А.Г. и др. Квантово-размерные AlGaAs/GaAs – гетероструктуры со 100% квантовым выходом излуча- тельной рекомбинации, получен- ные методом молекулярно-пучко- вой эпитаксии // Физика и техни- ка полупроводников. 1988, т. 22, вып. 12. С. 2105–2110. URL: https://m. mathnet.ru/links/c938130182e16c446 87e7c9c4ce22272/phts3145.pdf. 18. Alferov Zh.I., Ledentsov N.N. et al. Proc. 22nd Inter. Conf. Phys. Semicond., Vancouver, Canada, August 1994, edited by D.J. Lockwood, Vol. 3, p. 1855. URL: https://www.nlb.gov.sg/main/book- detail?cmsuuid=f8348db5-1df1-491a- a26a-6096b1b103ac. 19. Alferov Zh.I., Bimberg D., Ledentsov N.N. et. аl. Self- organization processes in MBE-grown quantum dot structures. Thin Solid Films 267, 32 (1995). URL: https://doi. org/10.1016 /0040-6090(95)06597-0 . 20. Alferov Zh.I., Grundmann M., Ledentsov N.N. et al. Ultranarrow Luminescence Lines from Single Quantum Dots. Phys. Rev. Lett. 74, 4043 (1995). URL: https://journals. aps.org/prl/abstract/10.1103/ PhysRevLett.74.4043. 21. Alferov Zh.I., Grundmann M., Ledentsov N.N. et al. InAs/ GaAs quantum dots radiative recombination from zero- dimensional states. Phys. Status Solidi B 188, 249 (1995). URL: https://doi. org/10.1002/pssb.2221880122. 22. Alferov Zh.I., Ruvimov S.S. et al. Structural characterization of (In,Ga)As quantum dots in a GaAs matrix. Phys. Rev. B 51, 14766 (1995). URL: https://doi.org/10.1103/ PhysRevB.51.14766. 23. Alferov Zh.I., Zhukov A.E., Ustinov M. et al. Negative Characteristic Temperature of InGaAs Quantum Dot Injection Laser. Japanese Journal of Applied Physics. Volume 36, Number 6S, 4216. 1997. URL: https://